FGH75T65UPD

650 V, 75 A 场截止沟道 IGBT

特性

• 最大结温：T J  = 175 ° C

• 正温度系数，易于并联运行

• 高电流能力

• 低饱和电压：V CE(sat)  = 1.65 V (Typ.) @ I C = 75 A

• 器件 100% 经过 I LM(2) 测试

• 高输入阻抗

• 紧密的参数分布

• 符合 RoHS 标准

• 短路耐用性 > 5 µs @25 ° C

概述

飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止

沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、 UPS、焊机和数码发电机等低

导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

应用

• 光伏逆变器、 UPS、电焊机、数码发电机