FGA40N65SMD

650 V, 40 A 场截止 IGBT

特性

• 最大结温：T J  = 175 ° C

• 正温度系数，易于并联运行

• 高电流能力

• 低饱和电压：V CE(sat)  = 1.9 V (Typ.) @ I C = 40 A

• 快速开关：E OFF  = 6.5 µJ/A

• 紧密的参数分布

• 符合 RoHS 标准

应用

• 光付逆变器、 UPS、焊机、 PFC、感应加热

• 通信电源、 ESS

概述

飞兆半导体的新型场截止第二代 IGBT 系列产品采用创新型场截

止 IGBT 技术，为光伏逆变器、 UPS、焊机、感应加热、通信电

源、 ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳

性能。