GH60N60SMD

600 V， ， 60 A  场截止 IGBT

特性

• 最大结温：T J  = 175 ° C

• 正温度系数，易于并联运行

• 高电流能力

• 低饱和电压：V CE(sat) = 1.9 V （典型值） @ I C = 60 A

• 高输入阻抗

• 快速开关 E OFF = 7.5 µJ/A

• 紧密的参数分布

• 符合 RoHS 标准

应用

• 太阳能逆变器、 UPS、电焊机、 PFC、电信、 ESS

概述

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT

技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导

通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能