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产品型号 | FQB6N80 | 品牌 | 仙童 | 封装 | TO-263 | 价格 | 电询 | 描述 | 6A 800V N沟道场效应晶体管 | 查看资料 | FQB6N80 | |
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产品说明
FQB6N80 / FQI6N80
800伏N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
概述
这些N沟道增强模式功率场效应
晶体管是使用飞兆专有的,
平面条纹,DMOS技术。
这项先进的技术是专门为
最小化导通电阻,提供出色的开关性能
性能,并能承受中的高能量脉冲
雪崩和换向模式。这些设备都很好
适用于高效率开关电源。
特征
5.8A,800伏,无线电数据系统(开)= 1.95ω@ VGS = 10伏
低栅极电荷(典型值31 nC)
低Crss(典型值14 pF)
快速切换
100%雪崩测试
提高dv/dt能力
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