FQB20N06 仙童 20A 60V N沟道场效应晶体管

你好，欢迎您咨询订购！	联系电话☎：0755-82543012

热门搜索:LMF1000-20B48| LMF1000-20B24| LMF1000-20B12| LMF600-20B12|

首页 > MOS场效应管 > FQB20N06

公司联系方式
销售电话	0755-82543012
手机热线	13760118263
传真
联系QQ	(1350334800)
旺旺联系
联系QQ	(1350334877)
淘宝联系

最新更新
LASTER PRODUCTS

	型号 MMG100S120B7HN
	型号 MMG100S120UK6TN
	型号 MMG150D170B
	型号 XL2596S-5.0E1
	型号 MP6907GJ-Z
	型号 DWM60X2-12U
	型号 BS808B
	型号 SRD-24VDC-SL-C

FQB20N06

产品型号	FQB20N06
品牌	仙童
封装	TO263
价格	电询
描述	20A 60V N沟道场效应晶体管
查看资料	FQB20N06
购买FQB20N06

产品说明

FB20N 06/FQI 20N 06

60V N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

概述

这些N沟道增强模式功率场效应

晶体管是使用飞兆专有的，

平面条纹，DMOS技术。

这项先进的技术是专门为

最小化导通电阻，提供出色的开关性能

性能，并能承受中的高能量脉冲

雪崩和换向模式。这些设备都很好

适用于低压应用，如汽车、DC/

DC转换器和高效电源开关

便携式和电池供电产品的管理。

特征

20A，60V，RDS(开)= 0.06ω@ VGS = 10V

低栅极电荷(典型值11.5 nC)

低Crss(典型值25 pF)

快速切换

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

最高结温额定值为175℃

类似FQB20N06产品

下一页尾页页码：1/2
产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
FQD24N08	FSC	TO-252	N沟道 19.6A 80V 场效应管MOS管

FQU1N50TU	ON	TO251	N沟道 1.1A 500V 场效应管MOS管

FQB11N40C	FSC	TO-263	N沟道 10.5A 400V 场效应管MOS管

FQB19N20	FSC	TO-263	N沟道 19A 200V 场效应管MOS管

FQB32N20C	FSC	TO-263	N沟道 28A 200V 场效应管MOS管

FQB34N20TM	FSC	TO-263	N沟道 31A 200V 场效应管MOS管

FQPF4N90C	ON	TO-220F	ON全新原装三极管FQPF4N90C 4A900V

FQL40N50	ON	TO-264	ON全新原装MOS管FQL40N50 40A 500V

FQA40N25	ON	TO-3P	ON全新原装MOS管FQA40N25 40A 250V

FQA13N80	ON	TO-247	ON全新原装MOS管FQA13N80

FQP4N90C	ON	TO-220	ON全新原装三极管FQP4N90C

FQP3P50	仙童	TO-220	3A 500V P沟道场效应晶体管

FQP7N80C	仙童	TO-220	7A 800V N沟道场效应晶体管

FQP5N40	仙童	TO-220	5A 400V N沟道场效应晶体管

FQP3N80C	仙童	TO-220	3A 800V N沟道场效应晶体管

FQP2N90	仙童	TO-220	2A 900V N沟道场效应晶体管

FQI7N80	仙童	TO-126	7A 800V N沟道场效应晶体管

FQP8N60C	仙童	TO-220	8A 600V N沟道场效应晶体管

FQB20N06	仙童	TO263	20A 60V N沟道场效应晶体管

FQB6N80	仙童	TO-263	6A 800V N沟道场效应晶体管

元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

关于我们 - 产品目录 - 产品资料 - 联络方式 - 工作机会 -法律声明

公司名称：深圳市建芯微电子有限公司 Copyright 2012 , Inc. All Rights Reserved
公司地址：广东省深圳市福田区中航路新亚洲国利大厦B座2942室
电话(TEL)0755-82579030，手机(Mob)13926586759，传真(FAX)0755-61905006

粤ICP备17161739号

粤公网安备 44030402003866号

-