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 | 型号 MMG100S120B7HN |  | 型号 MMG100S120UK6TN |  | 型号 MMG150D170B |  | 型号 XL2596S-5.0E1 |  | 型号 MP6907GJ-Z |  | 型号 DWM60X2-12U |  | 型号 BS808B |  | 型号 SRD-24VDC-SL-C |
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产品型号 | IRF9540N | 品牌 | IR | 封装 | TO220 | 价格 | 电询 | 描述 | 功率MOSFET(Vdss=-100V,Rds(开)=0.117ohm,Id=-23A) | 查看资料 | IRF9540N | |
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产品说明
l先进工艺技术
动态dv/dt额定值
l 175°C工作温度
l快速切换
l P-通道
我完全是雪崩级的
1998年5月13日
S
D
G
去-220AB
说明
来自国际整流器的第五代HEXFETs
利用先进的加工技术
每个硅区极低的导通电阻。这个
优点,结合快速切换速度和
HEXFET电源的加固器件设计
设计人员提供,MOSFET以
有一个非常高效可靠的设备
在各种各样的应用中。
TO-220包是所有人的普遍首选
功耗下的工业应用
电平约为50瓦。低热
TO-220的电阻和低封装成本
有助于它在整个
行业
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