产品说明
FDS6670AS
30V N沟道功率沟槽同步场效应晶体管
概述
FDS6670AS旨在取代单一的SO-8
同步DC中的场效应晶体管和肖特基二极管:DC
电源。这款30V金属氧化物半导体场效应晶体管旨在
最大化功率转换效率，提供低
无线电数据系统(开)和低栅极电荷。FDS6670AS
包括使用飞兆半导体的集成肖特基二极管
单片同步场效应晶体管技术。
应用程序
DC/DC转换器
低端笔记本电脑
特征
13.5安，30伏。无线电数据系统(开)最大值= 9.0米ω@ VGS = 10伏
无线电数据系统(开)最大值= 11.5米ω@ VGS = 4.5伏
包括同步场效应晶体管肖特基体二极管
低栅极电荷(典型值27nC)
用于极低成本的高性能沟槽技术
无线电数据系统(开)和快速切换
高功率和电流处理能力
