FDP 18 n20 f/FDP 18 n20 ft

n沟道场效应晶体管

200伏，18A，0.14ω

特征

无线电数据系统(开)= 0.12ω(典型值)。)@ VGS = 10V，内径= 9A

低栅极电荷(典型值)。20nC)

低Crss(典型值)。24pF)

快速切换

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

符合RoHS标准

描述

这些N沟道增强模式功率场效应

晶体管是使用飞兆专有的平面

条纹，DMOS科技。

这种先进的技术经过特别定制，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和

换向模式。这些设备非常适合高

高效开关模式电源和有功功率因数

更正。