FDP 16n 50/FDP 16n 50

500伏N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

特征

16A，500伏，无线电数据系统(开)= 0.38ω@ VGS = 10伏

低栅极电荷(典型值32 nC)

低Crss(典型值20 pF)

快速切换

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

描述

这些N沟道增强模式功率场效应

晶体管是使用飞兆专有的平面

条纹，DMOS科技。

这项先进的技术是专门为

最小化导通电阻，提供出色的开关性能

性能，并能承受雪崩中的高能脉冲

和换向模式。这些设备非常适合高

高效开关模式电源和有源功率因数

更正。