FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ

n沟道unifettm ii MOSFET 600v，12 A，650 m

特征

RDS(开)= 530 m(典型值)。)@ VGS = 10伏，内径= 6安

低栅极电荷(典型值)。26 nC)

低Crss(典型值)。12 pF)

100%雪崩测试

提高了dv/dt能力

静电放电能力提高

符合RoHS标准

应用程序

液晶/发光二极管/等离子电视

照明

不间断电源

描述

UniFETTM金属氧化物半导体场效应晶体管是飞兆半导体的高压金属氧化物半导体场效应晶体管系列，基于先进的平面条纹和

DMOS科技。这种先进的场效应晶体管系列具有

平面金属氧化物半导体场效应晶体管中最小的导通电阻

还提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源静电放电

二极管允许单结二级金属氧化物半导体场效应晶体管承受超过2kV的击穿电压

浪涌压力。该器件系列适用于开关电源

功率因数校正等转换器应用，平坦

平板显示电视电源、ATX和电子镇流器